晶圓包裝機(jī)晶圓工藝生產(chǎn)工藝流程
晶棒成長(zhǎng) -- 晶棒裁切與檢ce -- 外徑研磨 -- 切片 -- 圓邊 -- 表層研磨 -- 蝕刻 -- 去疵 -- 拋光 -- 清洗 -- 檢驗(yàn) -- 包裝
1、晶棒成長(zhǎng)工序:它又可細(xì)分為:
1)、融化(Melt Down):將塊狀的高純度復(fù)晶硅置于石英坩鍋內(nèi),加熱到其熔點(diǎn)1420°C以上,晶圓包裝機(jī)使其完quan融化。
2)、頸部成長(zhǎng)(Neck Growth):待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后,將〈1.0.0〉方向的晶種慢慢插入其中,接著將晶種慢慢往上提sheng,使其直徑縮小到一定尺寸(一般約6mm左右),維持此直徑并拉長(zhǎng)100-200mm,以消cu晶種內(nèi)的晶粒排列取向差異。
3)、晶冠成長(zhǎng)(Crown Growth):頸部成長(zhǎng)完成后,慢慢降di提sheng速度和溫度,使頸部直徑逐漸加da到所需尺寸(如5、6、8、12寸等)。
4)、晶體成長(zhǎng)(Body Growth):不斷調(diào)整提sheng速度和融煉溫度,維持固定的晶棒直徑,直到晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值。
5)、尾部成長(zhǎng)(Tail Growth):當(dāng)晶棒長(zhǎng)度達(dá)到預(yù)定值后再逐漸加快提sheng速度并提高融煉溫度,使晶棒直徑逐漸變小,以避免因熱應(yīng)力造成排差和滑移等現(xiàn)象產(chǎn)生,zui終使晶棒與液面完quan分離。到此即得到一根完整的晶棒。
2、晶棒裁切與檢ce(Cutting & Inspection):將長(zhǎng)成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分,并對(duì)尺寸進(jìn)行檢ce,以決定下步加工的工藝參數(shù)。
3、外徑研磨(Surface Grinding & Shaping):由于在晶棒成長(zhǎng)過(guò)程中,其外徑尺寸和圓度均有一定偏差,其外園柱面也凹凸不平,所以必須對(duì)外徑進(jìn)行修整、研磨,使其尺寸、晶圓包裝機(jī)形狀誤差均小于允許偏差。
4、切片(Wire Saw Slicing):由于硅的硬度hen大,所以在本工序里,采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。
5、圓邊(Edge Profiling):由于剛切下來(lái)的晶片外邊緣很鋒利,硅單晶又是脆性材料,為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞晶片表面光潔和對(duì)后工序帶來(lái)污染顆粒,必須用專(zhuān)用的電腦控制設(shè)備自動(dòng)修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。
6、研磨(Lapping):研磨的目的在于去掉切割時(shí)在晶片表面產(chǎn)生的鋸痕和破損,使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。