晶圓工藝

晶圓包裝機晶圓工藝生產工藝流程

晶棒成長 -- 晶棒裁切與檢ce -- 外徑研磨 -- 切片 -- 圓邊 -- 表層研磨 -- 蝕刻 -- 去疵 -- 拋光 -- 清洗 -- 檢驗 -- 包裝

1、晶棒成長工序：它又可細分為：

1）、融化（Melt Down）：將塊狀的高純度復晶硅置于石英坩鍋內，加熱到其熔點1420°C以上，晶圓包裝機使其完quan融化。

2）、頸部成長（Neck Growth）：待硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將〈1.0.0〉方向的晶種慢慢插入其中，接著將晶種慢慢往上提sheng，使其直徑縮小到一定尺寸（一般約6mm左右），維持此直徑并拉長100-200mm，以消cu晶種內的晶粒排列取向差異。

3）、晶冠成長（Crown Growth）：頸部成長完成后，慢慢降di提sheng速度和溫度，使頸部直徑逐漸加da到所需尺寸（如5、6、8、12寸等）。

4）、晶體成長（Body Growth）：不斷調整提sheng速度和融煉溫度，維持固定的晶棒直徑，直到晶棒長度達到預定值。

5）、尾部成長（Tail Growth）：當晶棒長度達到預定值后再逐漸加快提sheng速度并提高融煉溫度，使晶棒直徑逐漸變小，以避免因熱應力造成排差和滑移等現(xiàn)象產生，zui終使晶棒與液面完quan分離。到此即得到一根完整的晶棒。

2、晶棒裁切與檢ce（Cutting & Inspection）：將長成的晶棒去掉直徑偏小的頭、尾部分，并對尺寸進行檢ce，以決定下步加工的工藝參數(shù)。

3、外徑研磨（Surface Grinding & Shaping）：由于在晶棒成長過程中，其外徑尺寸和圓度均有一定偏差，其外園柱面也凹凸不平，所以必須對外徑進行修整、研磨，使其尺寸、晶圓包裝機形狀誤差均小于允許偏差。

4、切片（Wire Saw Slicing）：由于硅的硬度hen大，所以在本工序里，采用環(huán)狀、其內徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片將晶棒切割成一片片薄片。

5、圓邊（Edge Profiling）：由于剛切下來的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強度、破壞晶片表面光潔和對后工序帶來污染顆粒，必須用專用的電腦控制設備自動修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。

6、研磨（Lapping）：研磨的目的在于去掉切割時在晶片表面產生的鋸痕和破損，使晶片表面達到所要求的光潔度。

7、蝕刻（Etching）：以化學蝕刻的方法，去掉經(jīng)上幾道工序加工后在晶片表面因加工應力而產生的一層損傷層。

8、去疵（Gettering）：用噴砂法將晶片上的瑕疵與缺陷感到下半層，以利于后續(xù)加工。 　

9、拋光（Polishing）：對晶片的邊緣和表面進行拋光處理，一來進一步去掉附著在晶片上的微粒，二來獲得極jia的表面平整度，以利于后面所要講到的晶圓處理工序加工。

10、清洗（Cleaning）：將加工完成的晶片進行zui后的徹底清洗、風干。

11、檢驗（Inspection）：進行zui終全mian的檢驗以保證產品zui終達到規(guī)定的尺寸、形狀、表面光潔度、晶圓包裝機平整度等技術指標。

12、包裝（Packing）：將成品用柔性材料，分隔、包裹、裝箱，晶圓包裝機準備發(fā)往以下的芯片制造車間或出廠發(fā)往訂貨客戶。

以上資訊由晶圓包裝機提供